




EDF8164A3PK-JD-F-D
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:216-FBGA(12x12)
- 技术参数:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
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EDF8164A3PK-JD-F-D参数详情:
在追求极致性能与能效平衡的移动计算时代,您是否还在为设备的内存带宽瓶颈而困扰?当应用加载速度慢上半拍,多任务处理时出现卡顿,用户体验的瑕疵往往就源于内存性能的不足。现在,让我们向您隆重介绍一款能够彻底改变这一局面的高性能内存解决方案EDF8164A3PK-JD-F-D。这款来自存储巨头美光科技的8Gb LPDDR3移动内存芯片,以其卓越的933MHz时钟频率和高达64位的并行接口,为您的高速设备注入澎湃的数据吞吐动力,瞬间提升系统响应速度,让流畅体验触手可及。
想象一下,在高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备乃至车载信息娱乐系统中,EDF8164A3PK-JD-F-D正在幕后发挥着关键作用。它能够轻松驾驭高分辨率屏幕的渲染、大型游戏的流畅运行、4K视频的即时编辑以及复杂AI算法的快速计算。其宽广的1.14V至1.95V工作电压范围,结合先进的低功耗设计,意味着在提供强大性能的同时,能显著延长电池续航,让您的终端产品在激烈的市场竞争中,同时赢得“性能王者”与“续航高手”的双重美誉。这正是选择与顶尖Micron代理商合作的价值所在您获得的不仅是世界一流的芯片,更是其背后深厚的技术底蕴与可靠性保障。
为何众多领先厂商在为其关键项目选型时,会青睐这款芯片?答案在于它无与伦比的综合价值。216-WFBGA的紧凑封装,为日益追求轻薄化的设备设计节省了宝贵的空间。宽广的-30°C至85°C工作温度范围,确保了设备在严寒酷暑等各种严苛环境下依然稳定可靠,这对于 automotive 和工业级应用至关重要。虽然该部件已处于停产状态,但对于有长期稳定供应需求、正在进行产品生命周期维护或拥有特定库存策略的客户而言,它代表着一款经过市场充分验证、性能与可靠性俱佳的成熟选择。选择EDF8164A3PK-JD-F-D,就是选择了一份经过时间考验的卓越与安心,让您的产品在性能基石上稳如磐石。
- 型号:EDF8164A3PK-JD-F-D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:216-FBGA(12x12)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:128M x 64
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:216-WFBGA
- 供应商器件封装:216-FBGA(12x12)
- EDF8164A3PK-JD-F-D的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















