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MT47H32M16HR-187E:G TR供应商
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MT47H32M16HR-187E:G TR

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 技术参数:IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT47H32M16HR-187E:G TR参数详情:

在追求极致性能的嵌入式系统设计中,您是否曾为寻找一颗稳定可靠、性能与成本完美平衡的DDR2内存芯片而反复权衡?今天,我们为您带来一个久经市场考验的成熟解决方案MT47H32M16HR-187E:G TR。这颗来自美光科技的512Mb并行DDR2 SDRAM,以其出色的稳定性和高达533MHz的时钟频率,至今仍在众多关键应用中扮演着核心角色。它不仅仅是一颗存储器,更是您产品稳定运行的坚实后盾,尤其适合那些对长期供货稳定性和物料一致性有极高要求的项目。

想象一下,在工业自动化控制面板、网络通信设备、或是某些经典的医疗监控仪器内部,系统需要持续、高速地处理海量数据流。这正是MT47H32M16HR-187E:G TR大显身手的舞台。其32M x 16的组织结构,提供了高效的并行数据吞吐能力;1.8V的标准工作电压,在保证性能的同时兼顾了能效;而0°C至85°C的宽温工作范围,则确保了设备在多种复杂环境下都能稳定如初。无论是处理实时传感器数据、缓存视频流,还是支撑复杂的控制算法,它都能提供流畅无阻的数据交换体验,让您的终端设备反应更迅捷,运行更可靠。

选择这颗芯片,意味着您选择了一份经过时间验证的可靠性。尽管其状态标注为“停产”,但在成熟的供应链体系中,通过值得信赖的美光一级代理,依然能够为您提供持续、稳定的供货支持,这对于需要长期维护和生产的项目至关重要。其84-TFBGA的紧凑封装,为您的PCB布局节省了宝贵空间;350ps的极快访问时间和15ns的写周期,则直接转化为更优的系统响应速度。当您需要为一款经典或对成本敏感的设计注入稳定高效的内存性能时,MT47H32M16HR-187E:G TR无疑是一个经过市场千锤百炼的智慧之选,它能有效降低整体系统的设计风险与验证成本,让您的产品在竞争中底气十足。

  • 型号:MT47H32M16HR-187E:G TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:32M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:350 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:84-TFBGA
  • 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
  • MT47H32M16HR-187E:G TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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