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MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR供应商
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MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:132-VBGA(12x18)
- 技术参数:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR参数详情:
在数据爆炸的时代,您的下一代智能设备是否还在为存储空间和读写速度而妥协?想象一下,无论是工业自动化产线实时记录海量传感数据,还是高端网络设备需要瞬间加载复杂的固件,存储器的性能往往决定了整个系统的上限。今天,我们为您带来一个能彻底释放设备潜能的解决方案来自美光科技的MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR。这颗64Gb大容量并行NAND闪存芯片,不仅仅是数据的仓库,更是您产品迈向高效、稳定与可靠的关键引擎。
当您面对需要处理大量非结构化数据或运行复杂程序的场景时,MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR的价值将展露无遗。在工业控制领域,它能从容应对-40°C到85°C的严苛温差,确保生产线上的数据记录万无一失;在高端路由器、交换机等网络设备中,其高达166MHz的时钟频率和并行接口,让固件启动和配置加载快如闪电,极大提升网络响应速度。对于需要本地存储大量高清地图、影音资料或用户数据的消费电子与嵌入式系统,它提供的8GB等效容量,让您的设计摆脱空间束缚,为用户创造更丰富、更流畅的体验。
选择这颗芯片,就是选择了一份来自产业巨头的品质背书与长期稳定供应的保障。它不仅仅提供了顶级的硬件参数,更代表着一种可靠性的承诺。其宽电压(2.7V~3.6V)设计增强了系统供电的适应性,而132-VBGA的紧凑封装则为您节省了宝贵的PCB空间。更重要的是,通过我们美光授权代理,您获得的每一颗MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR都是原厂正品,享有完整的技术支持与供应链服务。这能让您将全部精力聚焦于产品创新与市场开拓,而将核心器件的性能与可靠性交给我们和全球领先的美光科技来守护。立即采用它,为您的产品注入强大的数据心脏,在激烈的市场竞争中赢得先机。
- 型号:MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA(12x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
- MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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