




MT47H32M16NF-25E AAT:H TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:84-FBGA(8x12.5)
- 技术参数:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
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MT47H32M16NF-25E AAT:H TR参数详情:
在追求极致性能与可靠性的道路上,您的下一代汽车电子或工业控制系统是否还在为内存的稳定性和速度而困扰?想象一下,在严苛的-40°C到105°C的环境温度下,系统依然需要流畅、无延迟地处理海量数据,这对核心存储部件提出了何等苛刻的要求。今天,我们为您带来的MT47H32M16NF-25E AAT:H TR,正是为征服这些挑战而生。这款来自美光科技的512Mbit DDR2 SDRAM,不仅仅是一颗存储器,更是您系统在恶劣环境中保持高性能、高可靠运行的坚实后盾。
当我们将目光投向智能座舱、高级驾驶辅助系统(ADAS)或是高精度工业自动化设备时,数据的实时吞吐与处理能力直接决定了用户体验与系统效能。MT47H32M16NF-25E AAT:H TR凭借其高达400MHz的时钟频率和仅400ps的访问时间,能够轻松应对复杂的图形渲染、多传感器数据融合以及实时控制算法对带宽的饥渴需求。其1.8V的核心电压设计,在提供强劲性能的同时,也兼顾了能效,帮助您的产品在激烈的市场竞争中赢得功耗优势。选择我们,您就选择了一个值得信赖的美光代理商,我们不仅提供原装正品,更提供专业的技术支持与供应链保障。
为什么众多工程师在面临严苛应用选型时,会毫不犹豫地锁定这颗芯片?答案在于其无可比拟的价值组合。它严格遵循AEC-Q100车规标准,从设计到生产都经历了超越消费级产品的可靠性验证,确保在震动、高温、低温等汽车级环境下长久稳定工作。84-TFBGA的紧凑封装和表面贴装型设计,为您的PCB布局节省了宝贵空间,让高密度集成成为可能。无论是应对瞬间爆发的数据流,还是在持续高温下长时间运行,它都能保持数据访问的一致性与完整性。这不仅仅是一次元器件采购,更是为您产品的长期口碑和卓越性能进行的一次关键投资。
在数据驱动一切的时代,内存的选择就是系统潜力的选择。让MT47H32M16NF-25E AAT:H TR成为您核心板卡上的“性能担当”,释放您设计的全部能量,从容应对未来更复杂的应用场景与市场挑战。
- 型号:MT47H32M16NF-25E AAT:H TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA(8x12.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
- MT47H32M16NF-25E AAT:H TR的官网价格:1:$7.00000|2000:$6.08300,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















