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MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR供应商
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MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:存储器,产品封装:200-WFBGA
- 技术参数:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR参数详情:
在追求极致性能的移动设备与嵌入式系统中,您是否曾因内存带宽不足而限制了处理器的发挥?当应用场景对功耗和速度提出双重挑战时,选择一颗怎样的内存芯片才能成为您产品的“性能倍增器”?答案或许就藏在MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR这颗闪耀的明星之中。它不仅仅是一颗16Gb容量的LPDDR4芯片,更是美光科技为高性能、低功耗应用量身打造的能量核心,其高达2133MHz的时钟频率,意味着它能以惊人的速度吞吐数据,彻底释放您主控芯片的潜能,让系统响应如丝般顺滑,用户体验瞬间提升。
想象一下,在下一代旗舰智能手机中,这颗芯片能让多任务切换毫无迟滞,4K视频录制与实时处理流畅自如;在高端平板电脑和超薄笔记本里,它确保大型应用和复杂图形渲染高效运行,同时保持持久的续航能力。它更是车载信息娱乐系统、工业级AIoT设备以及高性能网络设备的理想选择,其宽广的-40°C至85°C工作温度范围,意味着无论面对严寒酷暑还是严苛的工业环境,它都能稳定可靠地工作,为您的产品提供全天候的数据动力支持。选择它,就是为您的产品注入了应对未来复杂应用的底气。
那么,为何众多顶尖厂商在关键项目中都青睐于它?首先,其Mobile LPDDR4技术本身就是低功耗与高性能的完美平衡典范,1.1V的低工作电压直接转化为更长的电池寿命和更低的系统发热。其次,512M x 32的宽位架构提供了卓越的数据吞吐效率,特别适合需要处理大量流媒体或并行计算的应用。最后,源自美光科技的顶尖工艺与品质保证,确保了每一颗芯片都具备顶级的可靠性和一致性。当您通过值得信赖的美光授权代理渠道获取这颗芯片时,您获得的不仅是产品本身,更是从技术选型支持到稳定供应链的全方位保障,让您的产品研发与量产之路更加顺畅无忧。
- 制造商产品型号:MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:16Gb(512M x 32)
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2133MHz
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.1V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:200-WFBGA
- MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR的官网价格:有源,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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