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MT47H64M8SH-25E:H

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA(8x10)
  • 技术参数:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT47H64M8SH-25E:H参数详情:

在追求极致性能与稳定性的数字世界里,您的下一个设计是否正为寻找一颗可靠、高效的内存核心而踌躇?想象一下,当您的设备需要处理海量数据流时,一颗反应迅速、运行稳定的DRAM芯片,就是决定用户体验胜负的关键手。今天,我们为您带来的正是这样一款经过市场千锤百炼的解决方案MT47H64M8SH-25E:H,它不仅仅是一个组件,更是您产品性能飞跃的基石。

这款来自美光科技的经典DDR2 SDRAM,拥有512Mb(64M x 8)的存储容量和高达400MHz的时钟频率,意味着它能以惊人的速度响应处理器的每一次数据请求。无论是工业自动化设备中实时处理传感器信息,还是网络通信设备中高速缓冲数据包,亦或是消费电子中流畅运行复杂应用,它都能游刃有余。其1.7V至1.9V的低电压供电设计,在提供强劲性能的同时,显著优化了系统的整体功耗,让您的产品在能效比上脱颖而出。选择它,就是为您的设备注入一颗持久而强劲的“数字心脏”。

那么,在众多存储解决方案中,为何独独青睐这颗芯片?答案在于其无可挑剔的可靠性与卓越的价值体现。它采用成熟的DDR2技术和60-TFBGA封装,确保了在0°C至85°C的宽温范围内稳定工作,适应各种苛刻环境。高达400ps的极快访问时间和15ns的写周期时间,让数据吞吐毫无迟滞,极大提升了系统响应效率。更重要的是,通过我们美光授权代理您获得的不仅是原装正品保障和具有竞争力的价格,更有专业的技术支持与稳定的供货渠道。这意味着您可以更专注于核心创新,而将关键部件的供应与品质交给我们。让MT47H64M8SH-25E:H成为您构建下一代高性能、高可靠性设备的秘密武器,共同开启高效能计算的新篇章。

  • 型号:MT47H64M8SH-25E:H
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:最后售卖
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:64M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
  • MT47H64M8SH-25E:H的官网价格:1:$6.45000,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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