MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

当您的下一代设备需要处理海量数据流时，是否曾为内存带宽的瓶颈而困扰？想象一下，在自动驾驶的实时决策、工业机器人的精准控制，或是8K视频的流畅编辑中，每一纳秒的延迟都可能影响最终体验。此刻，MT40A1G8WE-083E AAT:B TR的到来，正是为了打破这一束缚，为您带来如疾风般迅捷的数据吞吐能力。这颗来自美光科技的DDR4 SDRAM芯片，不仅仅是一个存储组件，更是您系统性能飞跃的强劲引擎。

它天生为高性能计算和严苛环境而生。无论是奔跑在-40°C的极寒户外，还是坚守在105°C的工业设备内部，其宽广的工作温度范围确保了极端条件下的稳定如初。1.2GHz的高时钟频率，配合8Gb（1G x 8）的并行架构，意味着它能以惊人的速度同时处理大量数据任务，让您的数据中心服务器、高端网络设备或图形工作站彻底告别卡顿，实现行云流水般的多任务处理。这种可靠性，正是通过与值得信赖的Micron代理商合作，将尖端技术转化为实际产品优势的体现。

选择这颗芯片，就是选择为您的产品注入持久竞争力。尽管它已处于停产状态，但其成熟稳定的设计和卓越的性能表现，使其成为许多经典和持续生产项目的理想之选。它采用的78-TFBGA小型化封装和表面贴装技术，为您的PCB布局节省了宝贵空间，让设计更紧凑、更高效。从智能安防系统的视频缓冲，到医疗影像设备的快速数据读写，MT40A1G8WE-083E AAT:B TR都能以低至1.14V~1.26V的供电电压，在提供澎湃动力的同时保持出色的能效比。这不仅仅是升级一个部件，更是为您整个系统的响应速度、能效表现和长期稳定运行，奠定了一块坚实的基石。

• 型号:MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A1G8WE-083E AAT:B TR的官网价格：2000:$13.93255，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。