




MT29F512G08EBHBFJ4-T:B
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:存储器,产品封装:132-VBGA
- 技术参数:IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT29F512G08EBHBFJ4-T:B参数详情:
在数据洪流的时代,您的设备是否还在为存储空间捉襟见肘、读写速度滞后而烦恼?想象一下,一个能同时满足海量存储、稳定可靠与高效运行需求的解决方案,将如何彻底改变您的产品体验。今天,我们为您带来的正是这样一款划时代的存储核心来自美光科技的MT29F512G08EBHBFJ4-T:B。它不仅仅是一颗芯片,更是您产品性能飞跃的基石,是驱动创新、赢得市场的关键动力。
当您设计下一代企业级服务器、高性能计算平台或需要处理巨量数据的网络设备时,这颗512Gb容量的并行NAND闪存芯片就是您最坚实的后盾。其并联接口设计确保了高速的数据吞吐能力,让海量信息的存取如行云流水,瞬间响应。无论是构建复杂的数据库系统,还是运行要求严苛的实时应用,它都能提供稳定、持续的高性能输出,确保您的系统在关键时刻从不掉链子。选择它,就是为您的产品注入了澎湃的数据处理心脏。
为什么众多行业领先者都信赖这款芯片?答案在于其无可比拟的价值组合。美光先进的TLC NAND技术,在提供巨大存储密度的同时,实现了优异的成本效益。1.7V至1.95V的低电压供电,显著优化了能效比,特别适合对功耗敏感却又追求极致性能的应用场景。从0°C到70°C的宽温工作范围,保证了在各种环境下的稳定性和可靠性,让您的产品能够从容应对全球市场的多样化挑战。更重要的是,通过我们值得信赖的美光一级代理,您不仅能获得原厂正品保障和具有竞争力的价格,更能得到从选型支持到供应链稳定的全方位服务,让您的产品开发之旅更加顺畅无忧。
在竞争白热化的科技市场,细节决定成败,核心部件定义高度。MT29F512G08EBHBFJ4-T:B所代表的,正是这种对卓越的不懈追求。它承载的不仅是512Gb的数据,更是您产品领先市场的信心与底气。拥抱这款强大的存储引擎,让它成为您撬动未来无限可能的杠杆,共同书写数据存储的新篇章。
- 制造商产品型号:MT29F512G08EBHBFJ4-T:B
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:散装
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND(TLC)
- 存储容量:512Gb(64G x 8)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:132-VBGA
- MT29F512G08EBHBFJ4-T:B的官网价格:102.56717,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















