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MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR供应商
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MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:200-WFBGA(10x14.5)
- 技术参数:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR参数详情:
在追求极致性能与能效平衡的移动设备设计中,您是否曾为内存带宽瓶颈而困扰?当应用加载速度慢上一拍,或是多任务处理时出现卡顿,用户体验便会大打折扣。今天,我们为您带来一个高性能解决方案MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR,这颗来自美光科技的LPDDR4移动内存芯片,正是为打破瓶颈、释放设备潜能而生。它不仅仅是一个存储组件,更是您产品流畅体验的强劲心脏。
想象一下,在高端智能手机、平板电脑或便携式游戏设备中,用户指尖滑动带来的每一次即时响应,背后都需要内存提供稳定而高速的数据吞吐。MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR凭借其高达1600MHz的时钟频率和8Gb(256M x 32)的容量,能够轻松应对高分辨率屏幕渲染、大型游戏加载、4K视频录制与播放以及复杂的多应用后台切换。其宽广的-30°C至105°C工作温度范围,更是确保了设备在严寒或酷热环境下依然稳定运行,让您的产品无惧挑战,从容应对各种使用场景。
选择这颗芯片,意味着您选择了经过市场验证的可靠性与卓越性能。它采用先进的Mobile LPDDR4技术,在1.1V的低电压下工作,显著降低了整体功耗,为设备带来更长的续航时间。表面贴装型的200-WFBGA封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,也简化了生产流程。尽管该型号已处于停产状态,但通过我们这样的美光授权代理,您依然可以获得稳定可靠的货源与专业的技术支持,确保您的项目顺利进行,无需为供应链的稳定性担忧。这不仅仅是一次元器件采购,更是为您的产品注入强大竞争力与持久生命力的战略选择。
- 型号:MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA(10x14.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:256M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
- MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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