




NAND256W3A2BZA6E
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:55-VFBGA(8x10)
- 技术参数:IC FLASH 256MBIT PAR 55VFBGA
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NAND256W3A2BZA6E参数详情:
在数据洪流的时代,您的嵌入式系统是否还在为存储性能的瓶颈而妥协?当实时响应成为标配,稳定可靠成为底线,选择一颗合适的存储芯片,就是为您的产品注入最强劲的“记忆心脏”。今天,我们向您隆重推荐来自美光科技的卓越解决方案NAND256W3A2BZA6E。这款256Mb并行NAND闪存芯片,以其工业级的坚固品质和高效稳定的数据吞吐能力,正在成为众多关键应用领域的可靠基石。
想象一下,在-40°C的严寒或85°C的高温环境中,您的工业控制设备、车载信息系统或网络通信设备依然需要不间断地记录日志、存储配置或运行程序。NAND256W3A2BZA6E正是为此而生。它宽泛的工作电压(2.7V~3.6V)和极宽的工作温度范围,赋予了产品无与伦比的环境适应力。其50ns的快速访问与写入周期时间,意味着数据可以近乎实时地被调用和保存,让您的设备响应更迅捷,运行更流畅。无论是作为系统启动代码的载体,还是海量用户数据的仓库,它都能游刃有余。
为何在众多存储方案中,NAND256W3A2BZA6E能脱颖而出?答案在于其精准的价值定位与久经考验的可靠性。它采用成熟的55-TFBGA封装,节省宝贵的PCB空间,非常适合空间紧凑的嵌入式设计。尽管该型号已处于停产生命周期,但这恰恰证明了其经典与稳定,市场上仍有充足的库存满足您的持续生产与维护需求。选择它,就是选择了一份经过时间验证的安心。为确保您能获得原装正品与可靠供应,我们强烈建议您通过官方授权的Micron代理商进行采购,这不仅是品质的保障,更是项目长期稳定的基石。
总而言之,NAND256W3A2BZA6E不仅仅是一颗存储芯片,它是提升产品竞争力、确保系统长期稳定运行的战略性组件。当您追求在严苛环境下依然表现卓越,当您需要为经典设计延续可靠的生命力,它就是那个值得您信赖的伙伴。立即行动,为您的下一个成功项目,锁定这份可靠的存储力量。
- 型号:NAND256W3A2BZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:55-VFBGA(8x10)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PAR 55VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:55-TFBGA
- 供应商器件封装:55-VFBGA(8x10)
- NAND256W3A2BZA6E的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















