MT49H8M36BM-25 IT:B

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统中，您是否曾为存储器的带宽瓶颈而困扰？当数据洪流需要被实时处理，当系统响应速度决定产品成败，一颗强大的并行DRAM就是您破局的关键。现在，让我们向您隆重介绍MT49H8M36BM-25 IT:B，这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM，正是为应对高要求应用场景而生的性能引擎。

想象一下，在工业自动化控制的核心，海量的传感器数据需要被瞬间捕捉、分析和反馈；在网络通信设备的深处，数据包必须以极高的吞吐率进行交换与缓冲；又或者在高端医疗影像设备中，清晰的图像数据需要被流畅地存取与处理。这些场景的共同点，就是对数据带宽和存取速度的严苛要求。MT49H8M36BM-25 IT:B凭借其高达400MHz的时钟频率和仅20ns的访问时间，能够轻松驾驭这些数据密集型任务。其8M x 36的宽位架构，意味着单次操作就能传输更多数据，极大地提升了整体系统的数据吞吐效率，让您的设备在竞争中快人一步。

选择MT49H8M36BM-25 IT:B，不仅仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一份来自业界巨头的品质保证。美光科技在存储器领域的深厚积淀，确保了这颗芯片在复杂环境下的卓越可靠性与一致性。其1.7V至1.9V的低电压供电和-40°C到85°C的宽温工作范围，使其能够从容应对各种严苛的工业与商业环境，从炎热的车间到寒冷的户外，性能始终稳定如一。对于正在寻找可靠货源的设计师和采购而言，通过正规的美光中国代理进行选型与采购，是确保产品正品品质、获得稳定供应与专业技术支持的最明智途径。这颗芯片虽然已处于停产状态，但其成熟的工艺、经过市场验证的性能以及在某些存量或特定生命周期项目中的不可替代性，使其依然是许多追求高性价比与可靠性的项目的绝佳选择。

将MT49H8M36BM-25 IT:B集成到您的下一代设计中，它将成为您系统数据通道上最坚实、最迅捷的桥梁。它不仅仅是一个存储单元，更是释放您主处理器潜能、优化系统架构、提升终端用户体验的关键赋能者。当速度决定一切，让这颗来自美光的并行DRAM，成为您产品脱颖而出的秘密武器。

• 型号:MT49H8M36BM-25 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-25 IT:B的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。