




NAND16GW3B6DPA6F TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:114-LFBGA(12x16)
- 技术参数:IC FLSH 16GBIT PARALLEL 114LFBGA
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NAND16GW3B6DPA6F TR参数详情:
在当今数据爆炸的时代,您的设备是否还在为存储空间不足、读写速度跟不上而苦恼?想象一下,无论是工业自动化产线上实时记录海量生产数据,还是智能终端需要瞬间加载高清内容,一颗可靠、高速的存储核心至关重要。今天,我们为您带来的NAND16GW3B6DPA6F TR,正是美光科技为应对严苛应用环境而打造的16Gb并行NAND闪存解决方案,它将彻底改变您对存储性能的认知。
这款芯片的核心价值在于其卓越的稳定性和高效的数据吞吐能力。采用成熟的并行接口和25ns的超快访问时间,它能确保您的系统在数据读写时毫无延迟,流畅如飞。无论是运行在-40°C的极寒户外,还是85°C的高温机箱内部,其宽广的工作温度范围都能保证数据存储的万无一失,让您的产品在任何环境下都值得信赖。这正是选择一位可靠的美光芯片代理所能获得的品质保证您得到的不仅是一颗芯片,更是经过验证的可靠性与来自原厂的卓越技术支持。
它的身影可以活跃在众多关键领域。在工业控制领域,它是PLC、HMI设备记录漫长操作日志的坚实后盾;在网络通信领域,它为路由器、交换机提供高速的数据缓冲空间;在汽车电子领域,即便面临复杂电磁环境和温度波动,它也能为车载信息娱乐系统或行车记录仪提供稳定的存储支持。其2.7V至3.6V的宽电压供电设计,更是为各种电池供电或电源波动较大的便携式设备提供了额外的设计灵活性和安全边际。
那么,在众多存储方案中,为何最终锁定NAND16GW3B6DPA6F TR?答案在于它精准平衡了性能、容量与可靠性。16Gb(2G x 8)的容量恰到好处,既能满足大量数据存储需求,又避免了资源的过度浪费。表面贴装的114-LFBGA封装不仅节省了宝贵的PCB空间,更提升了连接的可靠性。虽然该型号已处于停产状态,但其成熟的设计、广泛的应用验证以及通过正规渠道仍可获取的库存,使其成为许多经典产品升级或长期维护项目的绝佳选择。选择它,就是为您的产品选择了一份历经考验的从容与稳定。
- 型号:NAND16GW3B6DPA6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:114-LFBGA(12x16)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLSH 16GBIT PARALLEL 114LFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:2G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:114-LFBGA
- 供应商器件封装:114-LFBGA(12x16)
- NAND16GW3B6DPA6F TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















