EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

在追求极致性能与能效平衡的嵌入式世界里，您是否还在为系统响应速度与功耗的取舍而烦恼？想象一下，当您的智能设备需要瞬间处理海量数据流，同时又要保持持久的续航能力，这背后需要一颗怎样的“心脏”？答案或许就藏在EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR这颗精心打造的移动LPDDR2 SDRAM芯片之中。它不仅仅是一颗存储器，更是驱动下一代智能设备流畅体验的关键动力源。

这颗来自美光科技的4Gb并行DRAM，以其533MHz的高时钟频率，为您的高速应用场景注入澎湃动力。无论是工业自动化中复杂的实时控制，还是车载信息娱乐系统流畅的多媒体处理，亦或是便携式医疗设备中需要快速存取大量诊断数据，它都能轻松应对，确保指令与数据的高速传输毫无迟滞。其宽广的1.14V至1.95V工作电压范围，配合先进的移动低功耗设计，意味着它能在提供强劲性能的同时，显著优化整体系统的能耗表现，让您的产品在激烈的市场竞争中，同时赢得“速度”与“耐力”的双重优势。

选择EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能的传承。尽管该型号已进入停产周期，但其成熟稳定的表现，使其成为许多经典或特定延续性项目在成本与可靠性之间寻求最优解的绝佳选择。其216-WFBGA的紧凑封装和表面贴装设计，为您的PCB布局节省了宝贵空间，让产品设计更加灵活精巧。面对复杂的元器件供应链，选择一家可靠的美光芯片代理至关重要，他们不仅能为您提供正品保障与稳定的供货支持，更能基于丰富的经验，为您的选型与设计提供专业建议，确保这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到完美释放。

• 型号:EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-WFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:64M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-WFBGA（12x12）
• EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。