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MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:存储器,产品封装:200-WFBGA
  • 技术参数:IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR参数详情:

在追求极致性能与能效平衡的移动计算时代,您是否正在为下一代智能设备寻找一颗既能提供澎湃动力,又能保持冷静续航的“心脏”?答案或许就藏在MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR这颗尖端移动LPDDR4 DRAM芯片之中。它不仅仅是一块存储器,更是驱动您产品实现性能飞跃、赢得市场先机的关键引擎。想象一下,当您的设备在1600MHz的高频下流畅运行,同时功耗却得到精准控制,那种高效与迅捷的体验,将直接转化为用户口碑和品牌忠诚度。

这颗芯片的应用场景几乎覆盖了所有对性能与功耗有严苛要求的领域。无论是需要处理复杂图形和实时数据的下一代旗舰智能手机、追求轻薄长续航的平板电脑,还是那些运行在边缘的AIoT设备、车载信息娱乐系统,甚至是需要高可靠性的工业控制平台,它都能游刃有余。在-30°C到85°C的宽温范围内稳定工作,意味着您的产品能够适应从严寒到酷暑的各种极端环境,可靠性无可挑剔。当您的竞争对手还在为性能与功耗的取舍而纠结时,您已经凭借这颗芯片提供的16Gb(512M x 32)大容量、高速带宽和低电压优势,打造出体验更流畅、续航更持久的领先产品。

选择MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR,就是选择了一条通往高性能、低功耗设计的捷径。其1.1V的低工作电压,直接为您的系统省下了宝贵的电能,让设备运行更“冷静”,续航更长久。200-WFBGA的紧凑封装和表面贴装型设计,为PCB布局节省了宝贵空间,让您的产品设计可以更加纤薄、紧凑。更重要的是,它来自存储领域的巨头美光科技(Micron Technology),品质与供货稳定性有绝对保障。如果您正在规划或升级产品,与可靠的Micron代理商合作,获取这颗有源状态的优质芯片,将是确保项目成功、加速产品上市的不二之选。立即行动,让这颗强大的“内存引擎”为您的创新注入无限可能。

  • 制造商产品型号:MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb(512M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1600MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-WFBGA
  • MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR的官网价格:有源,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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