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MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR供应商
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MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:存储器,产品封装:200-WFBGA
- 技术参数:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR参数详情:
在追求极致性能的移动设备与嵌入式系统中,您是否曾因内存带宽瓶颈而限制了产品的想象力?当应用需要处理海量数据、渲染高清画面或运行复杂算法时,一颗强大、高效且可靠的内存芯片,正是释放全部潜能的关键。今天,我们向您隆重介绍MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR,这颗来自美光科技的16Gb LPDDR4移动DRAM,正是为应对这些挑战而生。它以高达2133MHz的时钟频率和32位宽的数据通道,为您带来澎湃的数据吞吐能力,确保系统响应如丝般顺滑,告别卡顿与延迟。
想象一下,在下一代旗舰智能手机中,这颗芯片能让多任务切换、4K视频录制与播放、以及大型手游的运行都变得无比流畅;在高端平板电脑和超薄笔记本中,它支撑起创意工作者所需的繁重图形与视频编辑任务;而在汽车智能座舱、工业控制计算机等严苛环境中,其宽广的-40°C至105°C工作温度范围,确保了系统在极端条件下的稳定运行。无论是追求极致用户体验的消费电子,还是要求7x24小时可靠性的工业与汽车应用,它都能完美融入,成为系统背后沉默而强大的基石。
选择MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR,您选择的不仅是美光科技领先的存储技术,更是一份对高性能与高可靠性的承诺。其1.1V的低工作电压显著降低了系统功耗,延长了移动设备的续航时间。200-WFBGA的紧凑封装,为您的PCB设计节省了宝贵空间,让产品能够更加轻薄。当您需要为项目寻找值得信赖的存储解决方案时,与专业的美光代理商合作,不仅能确保您获得正品货源和稳定的供应,更能获得及时的技术支持与选型建议,让您的产品从设计到量产一路畅通。立即行动,让这颗强大的内存芯,成为您产品赢得市场的制胜法宝。
- 制造商产品型号:MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:16Gb(512M x 32)
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2133MHz
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.1V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:200-WFBGA
- MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR的官网价格:有源,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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