MT47H64M8CB-5E IT:B TR

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统中，您是否曾为寻找一颗可靠、高效且能应对严苛环境的内存核心而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越解决方案MT47H64M8CB-5E IT:B TR。这颗来自美光科技的DDR2 SDRAM芯片，以其512Mb（64M x 8）的并行存储架构和高达200MHz的时钟频率，为您的系统注入澎湃的数据吞吐动力。它不仅仅是一颗存储器，更是您产品在激烈市场竞争中保持流畅、响应迅速的关键基石。

想象一下，在工业自动化产线上，设备需要7x24小时不间断运行，环境温度波动剧烈；或是在车载信息娱乐系统中，面对复杂路况与频繁启停，系统必须瞬间响应。这正是MT47H64M8CB-5E IT:B TR大显身手的舞台。其宽广的-40°C至95°C工作温度范围，让它无惧严寒酷暑，稳定如初。1.8V左右的低电压供电，在保证强劲性能的同时，有效降低了系统整体功耗，特别适合对能效有严苛要求的便携式或电池供电设备。无论是网络通信设备、工业控制主板，还是需要高可靠性的专业级消费电子，它都能完美融入，成为系统背后沉默而强大的支撑。

选择这颗芯片，就是选择了一份历经考验的可靠性与卓越的性能价值。虽然其零件状态标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计与广泛的市场认可度，在存量市场和特定延续性项目中拥有不可替代的地位。其600ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了数据交换的高效与精准，让您的应用程序运行如丝般顺滑。更重要的是，通过我们值得信赖的美光一级代理，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能得到专业的技术选型建议，确保这颗性能芯核能在您的设计中发挥最大价值。让我们携手，用经典可靠的组件，构建面向未来的卓越产品。

• 型号:MT47H64M8CB-5E IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8CB-5E IT:B TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。