




MT49H16M18FM-33:B
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:144-BGA(18.5x11)
- 技术参数:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
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MT49H16M18FM-33:B参数详情:
在追求极致性能的嵌入式系统设计中,您是否曾为存储器的带宽瓶颈和功耗问题而困扰?当数据洪流需要被高速、稳定地吞吐时,选择一颗可靠的DRAM芯片,往往是决定产品成败的关键一步。今天,我们向您隆重介绍来自存储巨擘美光科技的经典力作MT49H16M18FM-33:B,这颗288Mb并行DRAM,正是为应对严苛应用挑战而生的高性能解决方案。
想象一下,在工业自动化控制的核心单元里,海量的传感器数据需要被实时采集与处理;在网络通信设备的交换板上,数据包必须以极低的延迟被转发。这正是MT49H16M18FM-33:B大显身手的舞台。它凭借高达300MHz的时钟频率和仅20ns的快速访问时间,如同为系统注入了澎湃动力,确保数据流畅通无阻,让您的设备响应如电光火石。其1.7V至1.9V的低电压供电设计,在提供强劲性能的同时,显著优化了整体能耗,这对于需要长时间稳定运行或对功耗敏感的应用场景而言,无疑是巨大的价值提升。
为何众多资深工程师在面临关键选型时,会持续信赖并选择这颗芯片?答案在于其背后所代表的卓越品质与稳定保障。作为美光科技原厂生产的经典器件,它继承了美光在存储领域数十年的技术积淀与严苛的品控标准。即便处于停产状态,通过可靠的美光芯片代理渠道,您依然可以获得原装正品,为您的现有产品维护、升级或特定项目开发提供稳定供应。其144-TFBGA的紧凑封装和表面贴装设计,适应了现代电子设备高密度集成的需求,0°C至95°C的宽工作温度范围(TC),更是让它能够从容应对从室内设备到户外工业环境的温度挑战,展现出非凡的适应性与可靠性。
选择MT49H16M18FM-33:B,不仅仅是选择了一颗高性能的存储芯片,更是选择了一份经过市场验证的性能承诺和一份来自产业巨头的品质背书。它能让您的设计在性能、功耗与可靠性之间找到完美平衡,助力您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出,赢得终端用户的持久信赖。
- 型号:MT49H16M18FM-33:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA(18.5x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:16M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA(18.5x11)
- MT49H16M18FM-33:B的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















