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MT47H64M8CB-3:B TR供应商
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MT47H64M8CB-3:B TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:60-FBGA
- 技术参数:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT47H64M8CB-3:B TR参数详情:
在追求极致性能的电子设备设计中,您是否曾为寻找一颗稳定可靠、能承载高速数据洪流的内存核心而反复权衡?今天,我们为您带来一个历经市场考验的经典答案MT47H64M8CB-3:B TR。这颗来自美光科技的512Mb DDR2 SDRAM芯片,以其333MHz的时钟频率和仅450ps的惊人访问时间,为您构建高速数据通道提供了坚实基石。它不仅仅是一个存储单元,更是系统流畅运行的“心跳”保障,让数据吞吐如行云流水,彻底告别卡顿与延迟的困扰。
想象一下,在工业控制系统的核心板卡上,实时数据需要被瞬间捕捉、处理和响应;在网络通信设备的缓存模块中,海量数据包必须被高效、有序地暂存与转发;又或者,在那些对长期稳定性和宽温工作有严苛要求的嵌入式应用里,系统需要一颗值得信赖的“老兵”。MT47H64M8CB-3:B TR正是为这些关键场景而生。其1.7V至1.9V的低电压供电,在保证强劲性能的同时,有效控制了功耗与发热,而0°C至85°C的宽工作温度范围,则让它能从容应对各种复杂环境挑战,确保设备7x24小时不间断稳定运行。
选择这颗芯片,意味着您选择了一份经过全球无数项目验证的可靠性。尽管其零件状态已标注为停产,但这恰恰证明了其经典与成熟,在存量市场和特定延续性项目中拥有不可替代的价值。其64M x 8的并行架构,为系统设计提供了灵活的数据位宽支持,而FBGA封装则确保了在紧凑空间内实现高密度、高可靠性的表面贴装。当您需要为现有产品线维护升级或开发对成熟供应链有依赖的新项目时,美光代理商将是您获取这颗优质芯片、获得专业技术支持与稳定供货保障的最可靠伙伴。让MT47H64M8CB-3:B TR的成熟性能,成为您产品在市场中稳健前行的强大后盾。
- 型号:MT47H64M8CB-3:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
- MT47H64M8CB-3:B TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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