




MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:132-TBGA(12x18)
- 技术参数:IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
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MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR参数详情:
在数据洪流的时代,您的设备是否还在为存储性能的瓶颈而苦苦挣扎?想象一下,无论是疾速启动的工业设备,还是流畅运行的高清监控系统,其背后都需要一颗强大、可靠且响应迅捷的存储核心。今天,我们为您带来美光科技的明星存储解决方案MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR,它正是为打破性能壁垒而生,将为您的高端应用注入澎湃的数据动力。
这颗芯片绝非普通的存储器,它集成了美光尖端的NAND闪存技术,拥有高达256Gb(32G x 8)的海量存储空间,足以轻松容纳海量的程序代码、高清视频流或复杂的系统日志。其并联接口与高达167MHz的时钟频率协同工作,意味着数据吞吐如江河奔涌,能显著减少系统等待时间,让您的设备响应更加灵敏迅捷。无论是要求严苛的工业自动化控制、需要长时间稳定记录数据的网络附加存储(NAS),还是对启动速度和运行流畅度有极致追求的高端嵌入式系统,它都能游刃有余,成为设备可靠运行的坚实数据基石。
选择MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR,就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它采用可靠的132-TBGA封装,确保在0°C至70°C的宽温范围内稳定工作,适应多种环境挑战。2.7V至3.6V的宽电压供电设计,进一步提升了其在复杂电源环境下的兼容性与鲁棒性。尽管该型号已进入停产周期,但其卓越的性能和可靠性使其在特定存量市场和追求极致稳定性的升级项目中依然极具价值。要获取这颗经典且性能强劲的芯片,选择一家可靠的美光芯片代理至关重要,他们不仅能提供正品保障,更能为您提供专业的技术支持和供应链服务,确保您的项目顺利推进。
当您的竞争对手还在为存储速度而妥协时,您已经凭借这颗强大的心脏赢得了先机。它不仅仅是一个存储组件,更是提升您产品整体竞争力、赢得用户口碑的关键赋能者。让MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR成为您下一代智能设备的智慧记忆核心,开启高效、可靠的数据存储新纪元。
- 型号:MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-TBGA(12x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-TBGA
- 供应商器件封装:132-TBGA(12x18)
- MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















