MT47H64M8B6-5E IT:D TR

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统中，您是否曾为寻找一颗能够经受严苛环境考验、同时提供可靠数据吞吐的存储核心而困扰？今天，我们为您带来一个历经市场验证的卓越答案MT47H64M8B6-5E IT:D TR。这颗来自美光科技的512Mb DDR2 SDRAM芯片，不仅仅是一个存储器，更是您系统在复杂工况下保持流畅运行的坚实后盾。它以其工业级的宽温范围、高效的并行接口和稳定的低电压运行，为那些对可靠性有着苛刻要求的应用场景，注入了强大的数据动力。

想象一下，在户外通信基站、工业自动化控制单元或是车载信息娱乐系统中，环境温度可能从酷暑骤降至严寒，电压也可能存在微小波动。这正是美光中国代理所力荐的MT47H64M8B6-5E IT:D TR大显身手的舞台。它能在-40°C到95°C的极端温度范围内稳定工作，确保您的设备无论置于何种环境，数据存取都精准无误。其200MHz的时钟频率与仅600ps的快速访问时间，意味着它能轻松应对实时数据流处理、高速缓冲和多任务调度，让您的产品响应更加迅捷，用户体验无缝流畅。

选择MT47H64M8B6-5E IT:D TR，就是选择了一份经过时间淬炼的信任。尽管它已处于停产状态，但这恰恰证明了其经典的设计和卓越的可靠性已得到广泛应用和认可，对于许多成熟且需要长期稳定供应的项目而言，它依然是无可替代的优选。其1.8V左右的核心工作电压，有助于降低系统整体功耗，而60-FBGA的紧凑封装，则为您的PCB布局节省了宝贵空间。当您需要一颗能扛住压力、性能不打折的存储芯片时，这颗来自美光经典DDR2系列的产品，无疑是助您构建坚固、高效系统的智慧之选。

• 型号:MT47H64M8B6-5E IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8B6-5E IT:D TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。