




MT53E768M32D4DT-046 WT:E
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:200-VFBGA(10x14.5)
- 技术参数:IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT53E768M32D4DT-046 WT:E参数详情:
在追求极致性能与可靠性的道路上,您的下一代智能汽车或工业设备是否正为寻找一颗能够应对严苛环境、同时提供澎湃数据吞吐能力的内存核心而踌躇?答案或许就隐藏在MT53E768M32D4DT-046 WT:E之中。这颗源自美光科技Automotive系列的LPDDR4移动内存,不仅仅是一颗芯片,更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的性能基石。它专为应对未来挑战而生,将高带宽、低功耗与车规级可靠性完美融合,为您的设计注入前所未有的活力与信心。
想象一下,在自动驾驶的复杂感知与决策系统中,海量的传感器数据需要被瞬间处理与响应;在智能座舱的多屏互动与高清娱乐体验里,流畅无卡顿是用户最基本的期待;甚至在严酷的工业自动化现场,设备需要7x24小时稳定运行,不容丝毫差错。这正是MT53E768M32D4DT-046 WT:E大显身手的舞台。其高达2.133GHz的时钟频率与24Gb(768M x 32)的大容量,构成了一个高速、宽阔的数据通道,确保信息洪流能够顺畅无阻,让您的终端设备反应更敏捷,体验更沉浸,运行更持久稳定。其宽广的-30°C至85°C工作温度范围,更是直面户外严寒与设备内部高温的挑战,证明了其作为AEC-Q100认证车规级器件的硬核实力。
选择这颗芯片,意味着您选择了一条兼顾性能巅峰与长期可靠性的捷径。它采用先进的Mobile LPDDR4技术,在提供高达2133Mbps数据速率的同时,凭借0.6V/1.1V的低电压供电,显著优化了系统整体功耗,这对于依赖电池供电或对能效有严苛要求的应用至关重要。尽管该型号已进入停产状态,但其卓越的设计与久经考验的品质,使其成为特定高端、长生命周期项目库存备货或替代方案的理想选择。通过与值得信赖的美光代理商合作,您不仅可以获取这颗性能瑰宝,更能获得专业的供应链支持与技术服务,确保您的项目从设计到量产一路畅通。让MT53E768M32D4DT-046 WT:E成为您产品内在卓越的最佳代言,共同开启高效、可靠的新篇章。
- 型号:MT53E768M32D4DT-046 WT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-VFBGA(10x14.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:24Gb
- 存储器组织:768M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2.133 GHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-VFBGA
- 供应商器件封装:200-VFBGA(10x14.5)
- MT53E768M32D4DT-046 WT:E的官网价格:1360:$19.85513,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

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