




MT47H512M4THN-3:H
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-FBGA(8x10)
- 技术参数:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
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MT47H512M4THN-3:H参数详情:
在追求极致性能的嵌入式系统中,您是否曾为存储瓶颈而困扰?当数据洪流奔涌而至,传统的存储方案往往力不从心,导致系统响应迟滞、体验打折。今天,我们为您带来一个经过市场验证的可靠解决方案MT47H512M4THN-3:H,这颗源自美光科技的2Gb DDR2 SDRAM芯片,正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个存储器,更是您系统流畅运行的“记忆中枢”,以高达333MHz的时钟频率和仅450ps的快速访问时间,确保数据吞吐如行云流水,瞬间响应每一个指令。
想象一下,在工业自动化控制面板上,复杂的逻辑运算与实时数据监控需要毫秒级的同步;在网络通信设备中,海量数据包的缓冲与转发不容丝毫延迟;甚至在那些对成本敏感但性能要求不减的消费电子领域,如高端数字标牌或安防监控设备,稳定高效的数据存取同样是核心竞争力。这正是MT47H512M4THN-3:H大显身手的舞台。其512M x 4的存储结构,提供了灵活而充裕的数据空间,1.7V至1.9V的低电压供电不仅降低了系统整体功耗,更契合了现代电子设备绿色节能的设计趋势。表面贴装的63-FBGA封装,则确保了它在紧凑空间内的可靠集成,适应0°C到85°C的宽温工作范围,从容应对各种苛刻环境。
选择MT47H512M4THN-3:H,就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。尽管该型号已处于停产状态,但其成熟的设计、广泛的行业应用验证以及稳定的供货渠道,使其成为许多经典产品设计与维护升级的明智之选。它代表了DDR2技术成熟期的性能与成本最佳平衡点,尤其适合那些不需要追逐最新工艺节点,但极度重视系统稳定性、兼容性与总体拥有成本的项目。当您需要为现有系统寻找可靠的存储升级方案,或开发长生命周期产品时,这颗芯片的价值尤为凸显。我们作为专业的美光代理商,不仅提供这颗芯片本身,更提供专业的技术支持与供应链保障,帮助您将这份稳定可靠的性能,无缝融入您的产品蓝图,助力您的设备在市场中持续保持强劲竞争力。
- 型号:MT47H512M4THN-3:H
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-FBGA(8x10)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-FBGA(8x10)
- MT47H512M4THN-3:H的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















