MT49H8M36BM-TI:B

在追求极致性能与稳定性的道路上，您的下一代高端网络设备、工业控制系统或图形处理单元，是否正为寻找一颗可靠且强大的并行内存核心而踌躇？答案或许就藏在MT49H8M36BM-TI:B之中。这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM，以其卓越的8M x 36位宽架构，为您的高速数据吞吐需求提供了坚实的硬件基石。它不仅仅是一个存储组件，更是您系统流畅运行、响应迅捷的关键赋能者。

想象一下，在严苛的工业自动化环境中，设备需要实时处理海量的传感器数据并做出毫秒级决策；或者在高端网络路由与交换设备中，面对汹涌的数据洪流，必须保证零延迟的数据包转发。MT49H8M36BM-TI:B正是为这些挑战而生。其并联接口设计，确保了数据通道的宽阔与高效，能够轻松应对需要高带宽、低延迟的复杂应用场景。从专业的医疗影像设备到精密的测试测量仪器，再到要求严苛的通信基础设施，它都能无缝融入，成为系统性能的隐形加速器。

选择MT49H8M36BM-TI:B，意味着您选择了经过市场验证的成熟方案与顶级品质。美光科技在存储领域的权威地位，为这颗芯片的稳定性和可靠性提供了背书。其1.7V至1.9V的低电压供电范围，不仅有助于降低系统整体功耗，更体现了先进的能效设计理念。0°C至95°C的宽工作温度范围，则赋予了它强大的环境适应能力，确保在多样化的工况下依然稳定如一。更重要的是，通过我们美光授权代理，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到专业的技术支持与供应链服务，让您的产品开发与生产全流程都高枕无忧。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为您的产品价值与市场竞争力所做的明智投资。

• 型号:MT49H8M36BM-TI:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-TI:B的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。