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MT47H32M16HR-187E:G供应商
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MT47H32M16HR-187E:G
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:84-FBGA(8x12.5)
- 技术参数:IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT47H32M16HR-187E:G参数详情:
在追求极致性能与稳定性的数字世界里,您是否还在为系统瓶颈而困扰?当数据处理速度成为决定产品成败的关键时,选择一颗强大的内存核心至关重要。今天,我们为您带来一款历经市场验证的经典解决方案MT47H32M16HR-187E:G。这颗来自美光科技的DDR2 SDRAM芯片,以其512Mb(32M x 16)的并行存储架构和高达533MHz的时钟频率,能够瞬间点燃您的系统潜能,让数据洪流在1.8V的标准电压下高速、稳定地奔腾。
想象一下,在工业自动化控制系统中,实时指令的响应容不得丝毫延迟;在网络通信设备里,海量数据包的缓存与转发需要坚实可靠的后盾;又或者在那些对成本与性能有着精妙平衡要求的嵌入式设备中,稳定与高效是永恒的追求。MT47H32M16HR-187E:G正是为此而生。它0°C至85°C的宽工作温度范围,确保了在严苛环境下依然从容不迫,其表面贴装的84-TFBGA封装,更为您的PCB布局提供了高集成度的便利。尽管它已进入停产生命周期,但其成熟的设计、广泛的验证和可靠的供应(通过我们这样的美光授权代理渠道)使其成为众多经典项目延续与维护的明智之选。
那么,为什么在众多存储方案中,它依然值得您的青睐?答案在于其无可替代的成熟价值。高达533MHz的运行频率配合仅350ps的访问时间,意味着更低的延迟和更快的数据吞吐,直接提升了终端应用的流畅度与响应速度。1.7V至1.9V的低电压供电设计,在保证强劲性能的同时,也兼顾了能效,有助于延长便携式设备的续航。选择MT47H32M16HR-187E:G,不仅是选择了一颗高性能的DDR2芯片,更是选择了一个经过全球无数项目验证的、稳定可靠的存储基石。它让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借稳定、高效的数据处理能力,赢得持久的用户信赖。
- 型号:MT47H32M16HR-187E:G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA(8x12.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:350 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
- MT47H32M16HR-187E:G的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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