MT47H256M8THN-25E:H TR

在追求极致性能与稳定性的数字世界里，您的系统是否曾因内存带宽不足而遭遇瓶颈？当数据洪流奔涌而至，一颗可靠、高效的内存芯片就是保障系统流畅运行的基石。今天，我们向您隆重推荐来自存储巨擘美光科技的经典力作MT47H256M8THN-25E:H TR。这款2Gb容量的DDR2 SDRAM，以其经过市场长期验证的卓越品质，持续为众多关键应用注入澎湃动力。

想象一下，在工业自动化控制系统中，指令需要被瞬间响应与执行；在网络通信设备里，海量数据包必须被快速缓存与转发；在高端打印设备或数字标牌中，复杂图像的处理不容丝毫延迟。这正是MT47H256M8THN-25E:H TR大显身手的舞台。它凭借高达400MHz的时钟频率和仅400ps的快速访问时间，能轻松驾驭这些对实时性和吞吐量要求严苛的场景，确保您的设备反应敏捷，运行如飞。其1.8V的标准工作电压和宽温范围设计，更赋予了它在各种复杂环境下稳定工作的超凡耐力。

选择MT47H256M8THN-25E:H TR，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一份安心与保障。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的技术和庞大的市场存量，使其成为诸多经典产品升级维护或长期项目备料的理想选择。通过值得信赖的美光代理商，您依然可以获取到原装正品，确保供应链的可靠与连续。这颗采用63-TFBGA封装、卷带包装的芯片，为您的表面贴装生产提供了极大便利。它代表的是一种历经考验的价值用经过时间打磨的稳定性能，守护您产品的长期可靠运行，让您在激烈的市场竞争中，拥有一个坚实而值得信赖的“记忆核心”。

• 型号:MT47H256M8THN-25E:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H256M8THN-25E:H TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。