MT47H256M4SH-25E:M

在追求极致性能的数字世界里，您的设备是否曾因内存带宽不足而遭遇瓶颈？当数据处理需求呈指数级增长，选择一颗可靠、高效的内存芯片，就是为您的产品引擎注入澎湃动力。今天，我们向您隆重推荐来自存储巨头的卓越解决方案MT47H256M4SH-25E:M，这颗1Gb DDR2 SDRAM芯片，正是为应对严苛应用挑战而生的性能基石。

想象一下，在工业自动化控制系统中，实时数据流需要被瞬间捕捉、分析和响应；在网络通信设备中，海量数据包必须被高速缓存与转发，不容丝毫延迟。MT47H256M4SH-25E:M凭借其高达400MHz的时钟频率和仅400ps的惊人访问时间，能够轻松驾驭这些高带宽任务。其1.7V至1.9V的低工作电压设计，不仅显著降低了系统整体功耗，更在0°C至85°C的宽温范围内保持稳定运行，确保您的设备在各类环境中都能表现出色，无论是嵌入在炙热的机柜内，还是运行于昼夜温差巨大的户外场景。

为何众多工程师在面临关键选型时，会毫不犹豫地锁定这颗芯片？答案在于它带来的综合价值远超单一参数。它不仅仅提供了1Gb（256M x 4）的充裕存储空间和并联接口带来的高速数据吞吐，其15ns的快速写周期更能有效提升系统整体响应速度。选择美光代理商，不仅能提供正品保障，更能为您提供从选型支持到供应链管理的全方位服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。

• 型号:MT47H256M4SH-25E:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H256M4SH-25E:M的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。