EDB8164B4PK-1D-F-R TR

在追求极致性能与能效平衡的今天，您的下一代移动设备或嵌入式系统是否还在为内存带宽瓶颈而妥协？想象一下，当应用切换如丝般顺滑，高清视频流毫无卡顿，复杂计算任务瞬间响应这一切体验的基石，正是一颗强大而高效的内存芯片。现在，让我们向您隆重介绍EDB8164B4PK-1D-F-R TR，美光科技倾力打造的8Gb移动LPDDR2 SDRAM解决方案，它正是为了打破性能壁垒、释放设备潜能而生。

这颗芯片绝非普通的存储器，它是专为严苛移动环境设计的性能引擎。采用先进的533MHz时钟频率和并联接口，它能提供高达8Gb（128M x 64）的海量存储空间和澎湃的数据吞吐能力，确保多任务处理游刃有余。更令人印象深刻的是其宽广的1.14V至1.95V供电电压范围与低至-30°C至85°C的工作温度耐受性，这意味着无论您的设备是身处炎夏户外还是严寒工业现场，它都能稳定高效地运行，将可靠性融入每一个比特的传输中。选择它，就是为您的产品注入了持久且强劲的“记忆心脏”。

其应用场景极为广泛，从需要长时间续航和快速响应的智能手机、平板电脑，到对稳定性和环境适应性要求极高的车载信息娱乐系统、工业自动化控制设备，再到各类物联网网关和便携式医疗仪器，EDB8164B4PK-1D-F-R TR都能完美融入。它让移动设备更“聪明”流畅，让嵌入式系统更“坚韧”可靠。当您需要一位值得信赖的合作伙伴来确保这颗优质芯片的稳定供应与技术支持时，专业的美光芯片代理将是您坚实的后盾，助您将顶尖技术快速转化为市场竞争力。

那么，为何在众多选择中独独青睐这颗芯片？答案在于它精准的价值定位。它不仅在性能参数上表现出色，更通过220-FBGA的紧凑封装和表面贴装设计，为您的PCB布局节省了宝贵空间，助力产品实现更轻薄、更集成的设计。从有源的零件状态到卷带（TR）的标准化包装，每一个细节都体现了美光科技对生产效率和品质一致性的极致追求。选择EDB8164B4PK-1D-F-R TR，您选择的不仅仅是一个组件，更是一个经过市场验证的、能够提升终端产品整体体验与可靠性的关键解决方案，是推动您的创意从蓝图走向爆款的加速器。

• 型号:EDB8164B4PK-1D-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:220-FBGA（14x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 220FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:220-WFBGA
• 供应商器件封装:220-FBGA（14x14）
• EDB8164B4PK-1D-F-R TR的官网价格：1000:$11.43326，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。