MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR

在追求极致性能与能效平衡的嵌入式世界里，您是否正在寻找一款能够同时满足高带宽、低功耗和紧凑设计需求的存储解决方案？答案或许就藏在MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR这颗闪耀的明星之中。作为美光科技精心打造的移动LPDDR SDRAM，它不仅仅是一颗存储芯片，更是您产品实现性能飞跃、赢得市场竞争的关键引擎。

想象一下，在您的下一代高性能便携设备中，无论是流畅运行复杂应用程序的平板电脑，还是处理高清视频流的车载信息娱乐系统，甚至是需要实时响应的工业控制设备，这颗芯片都能提供高达2Gb（64M x 32）的澎湃存储容量和208MHz的快速时钟频率。其5ns的极速访问时间和14.4ns的写周期时间，意味着数据吞吐如行云流水，彻底告别卡顿与延迟，为用户带来丝滑顺畅的极致体验。更令人振奋的是，它在1.7V至1.95V的低电压下稳定工作，在提供强大动力的同时，显著降低了系统整体功耗，让您的设备续航更持久，运行更冷静。

选择MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR，就是选择了一份来自业界领袖的可靠承诺。美光科技深厚的存储技术积淀，确保了这颗芯片在-25°C到85°C的宽温范围内稳定如一，适应各种苛刻环境。其90-VFBGA的超紧凑封装和表面贴装设计，为您节省了宝贵的PCB空间，让产品设计更加纤薄、灵活。当您与值得信赖的美光芯片代理合作时，您获得的不仅是一颗高品质的芯片，更是从技术选型到供应链支持的全方位保障，让您能够心无旁骛地专注于产品创新，将想法快速、可靠地转化为市场领先的现实。

• 型号:MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:64M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:208 MHz
• 写周期时间 - 字，页:14.4ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。