MT47H256M8THN-25E:M TR

在追求极致性能与稳定性的数字世界里，您是否正在为关键设备寻找一颗可靠、高效的“数据心脏”？当系统需要处理海量信息流时，内存的性能往往决定了整个平台的响应速度与运行效率。今天，我们为您隆重介绍来自美光科技的经典力作MT47H256M8THN-25E:M TR，这颗2Gb DDR2 SDRAM芯片，正是为满足严苛工业与嵌入式应用而生的高性能存储解决方案。

想象一下，在自动化生产线、网络通信设备或高精度医疗仪器中，数据需要被高速、不间断地存取与处理。MT47H256M8THN-25E:M TR凭借其高达400MHz的时钟频率和仅400ps的快速访问时间，能够轻松驾驭这些复杂场景，确保指令执行流畅无阻，数据吞吐高效稳定。其1.8V典型工作电压与宽温（0°C至85°C）特性，更意味着它在各种环境下都能保持出色的能效比与可靠性，是构建坚固耐用系统的理想基石。

选择这颗芯片，不仅仅是选择了一个存储组件，更是选择了一份经过市场验证的品质与信任。美光科技作为全球存储领域的领导者，其产品以卓越的稳定性和一致性著称。尽管该型号已进入停产生命周期，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及通过美光芯片代理渠道可获得的持续供应支持，使其成为众多现有项目升级或长期维护的绝佳选择。对于需要并行接口、256M x 8组织架构以及表面贴装（63-TFBGA）封装的设计而言，它提供了经过时间考验的性能与价值平衡点。

无论是用于延续经典产品的生命周期，还是为对成本与可靠性有双重考量的项目注入活力，MT47H256M8THN-25E:M TR都代表着一个明智而务实的选择。它承载着美光的技术底蕴，致力于让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借稳定可靠的“内存基石”赢得持久优势。

• 型号:MT47H256M8THN-25E:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H256M8THN-25E:M TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。