




MT41K512M8RH-125 AAT:E TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:78-FBGA(9x10.5)
- 技术参数:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
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MT41K512M8RH-125 AAT:E TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统设计中,您是否曾为寻找一颗能在严苛环境下依然保持高速响应的可靠内存而烦恼?现在,答案就在眼前。MT41K512M8RH-125 AAT:E TR,这颗来自美光科技的4Gb DDR3L SDRAM芯片,正是为应对高要求挑战而生的解决方案。它不仅仅是一个存储组件,更是您系统性能飞跃的关键引擎,以其高达800MHz的时钟频率和低至13.75ns的访问时间,为数据密集型应用注入澎湃动力,让信息处理如行云流水般顺畅。
想象一下,在工业自动化产线上,设备需要7x24小时不间断运行,环境温度波动剧烈;或者在疾驰的汽车中,车载信息娱乐与高级驾驶辅助系统(ADAS)需要瞬间处理海量传感器数据。这正是MT41K512M8RH-125 AAT:E TR大显身手的舞台。其宽广的-40°C至105°C工作温度范围,确保了在极端冷热条件下依然稳定可靠,杜绝因温度波动导致的数据丢失或系统宕机风险。无论是智能工厂的控制器、 ruggedized 的移动终端,还是对寿命与可靠性有严苛要求的通信基站,这颗芯片都能无缝融入,成为系统坚如磐石的数据基石。
选择它,意味着您选择了一个经过市场验证的高性能伙伴。其1.283V至1.45V的低电压供电,不仅显著降低了系统整体功耗,助力产品实现更长的续航或更低的散热设计压力,更体现了绿色节能的设计理念。78-TFBGA的紧凑封装,为空间受限的PCB布局提供了极大便利,让您的设计更加灵活精巧。尽管该型号已进入停产管理阶段,但其卓越的性能与广泛的适用性,使其在存量项目维护、长期供货需求以及特定高可靠性领域依然拥有不可替代的价值。通过值得信赖的美光中国代理,您可以获得关于库存、替代方案及生命周期支持的专业服务,确保您的供应链安全无虞。拥抱MT41K512M8RH-125 AAT:E TR,就是为您的核心产品选择了一份历经考验的卓越与稳定。
- 型号:MT41K512M8RH-125 AAT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA(9x10.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA(9x10.5)
- MT41K512M8RH-125 AAT:E TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















