MT41K2G4RKB-107:P TR

当您的下一代设备需要同时处理海量数据并保持极致的能效时，您会选择什么样的内存解决方案？答案或许就藏在MT41K2G4RKB-107:P TR这颗高性能DDR3L SDRAM芯片中。它不仅仅是一个存储组件，更是您产品性能飞跃的强劲引擎，专为应对严苛的数据处理挑战而生。

想象一下，在边缘计算网关中，它凭借高达933MHz的时钟频率和仅20ns的访问时间，让实时数据流如高速公路般畅通无阻；在工业自动化控制系统中，其1.283V至1.45V的低电压供电和0°C至95°C的宽温工作范围，确保了在复杂环境下依然稳定可靠，让您的设备无惧挑战。无论是需要密集运算的网络通信设备，还是追求长效续航的便携式医疗仪器，这颗采用美光先进TwinDie技术的8Gb并行DRAM，都能提供充沛的带宽与卓越的能效比，将数据处理能力提升到一个全新维度。

选择它，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。作为原厂有源产品，其品质与长期供货稳定性拥有坚实保障。更重要的是，通过我们专业的美光中国代理，您不仅能获得这颗性能强悍的芯片，更能享受到从技术选型支持到供应链保障的全方位服务。我们理解，在激烈的市场竞争中，一个可靠的组件伙伴意味着什么。让MT41K2G4RKB-107:P TR成为您产品蓝图中的关键拼图，它将用稳定的性能输出，帮助您构建出更快速、更智能、更具竞争力的终端产品，最终赢得市场的青睐。

• 型号:MT41K2G4RKB-107:P TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K2G4RKB-107:P TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。