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MT41K256M8HX-187E:D

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:78-FBGA(9x11.5)
  • 技术参数:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT41K256M8HX-187E:D参数详情:

在追求极致性能与稳定性的数字世界里,您是否曾为系统瓶颈而困扰?当数据洪流奔涌而至,一个可靠、高效的内存核心,往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您带来一款久经市场考验的经典之选MT41K256M8HX-187E:D。这款来自美光科技的2Gb DDR3L SDRAM,以其533MHz的高时钟频率和低至13.125ns的快速访问时间,如同为您的系统注入了一剂强心针,确保数据处理行云流水,告别卡顿与延迟。

想象一下,在工业自动化产线上,设备需要实时处理海量传感器数据;在网络通信设备中,数据包必须以闪电般的速度被缓存与转发;又或者在那些对功耗与稳定性有着严苛要求的嵌入式系统中,MT41K256M8HX-187E:D正是这些场景下的幕后英雄。它1.283V至1.45V的低工作电压,不仅显著降低了系统整体能耗,更在0°C到95°C的宽温范围内保持稳定运行,从容应对各种复杂环境挑战。其256M x 8的并行架构,提供了高达2Gb的存储容量,足以满足多数中高端应用对内存带宽和容量的双重需求。

选择MT41K256M8HX-187E:D,意味着您选择了一份经过时间验证的可靠性与卓越性能。尽管该型号已进入停产周期,但其成熟的设计、广泛的行业应用基础以及稳定的供货渠道,使其成为存量项目升级、经典产品维护以及追求极致成本效益方案的理想选择。它代表了DDR3L技术的一个高峰,能够帮助您以成熟的方案快速实现产品落地,降低开发风险与周期。更重要的是,通过我们值得信赖的美光中国代理,您不仅能获得正品保障与有竞争力的价格,更能得到专业的技术支持与稳定的供货服务,让您的供应链后顾无忧。让这颗经典的芯片,继续为您的创新产品保驾护航,创造持久价值。

  • 型号:MT41K256M8HX-187E:D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(9x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:256M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.125 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(9x11.5)
  • MT41K256M8HX-187E:D的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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