MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR

在追求极致性能与可靠性的嵌入式世界里，您是否曾为存储方案的复杂性与功耗问题而困扰？现在，答案就在眼前。MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR的出现，正是为了终结这种妥协。它不仅仅是一颗芯片，更是美光科技（Micron Technology）将前沿NAND Flash与高效LPDDR2 DRAM融于一体的智慧结晶，为您带来前所未有的集成存储解决方案。

想象一下，在工业自动化、车载信息娱乐系统或高端网络设备中，数据的高速读写与持久存储同样至关重要。这颗芯片凭借其4Gb NAND Flash与2Gb LPDDR2 DRAM的独特组合，让您的设备既能拥有海量的非易失存储空间来保存关键程序与数据，又能通过高速DRAM实现流畅的实时运算与缓存。533MHz的时钟频率确保了数据传输如行云流水，而1.8V的低电压供电与宽广的-40°C至85°C工作温度范围，则意味着它能在严苛环境下依然保持稳定高效，大幅延长设备寿命并降低整体能耗。

选择它，就是选择了一种更简洁、更可靠的设计哲学。它采用162-VFBGA封装，表面贴装设计节省了宝贵的PCB空间，让您的产品布局更加紧凑优雅。面对已经停产的型号，稳定的供货渠道与专业的技术支持显得尤为关键。这正是选择一家可靠的Micron代理商的价值所在，他们不仅能确保您获得正品货源，更能提供从选型到量产的全程支持，让您的创新之路毫无后顾之忧。让MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR成为您下一代智能设备的核心动力，开启高效与可靠并存的新篇章。

• 型号:MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:162-VFBGA（10.5x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
• 存储器组织:128M x 32（NAND），64M x 32（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:162-VFBGA
• 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
• MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR的官网价格：1:$10.76000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。