MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR

在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统中，存储器的选择往往决定了整个产品的成败。当您需要一款能够应对严苛环境、提供可靠数据存储的解决方案时，MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR无疑是您值得信赖的伙伴。这款来自美光科技的8Gb并行NAND闪存，以其卓越的非易失特性和宽广的工作温度范围，为您的设计注入持久动力与安心保障。

想象一下，无论是穿梭于极寒与酷热环境的车载信息娱乐系统，还是部署在工业自动化产线上需要7x24小时不间断运行的控制单元，甚至是要求数据快速读写与长期保存的智能网络设备，这颗芯片都能完美胜任。其1.7V至1.95V的低电压供电设计，不仅有效降低了系统整体功耗，更彰显了绿色节能的现代设计理念。63-VFBGA的紧凑封装，让它在空间受限的PCB板上也能游刃有余，为您的产品小型化、集成化提供了坚实支撑。

选择MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR，就是选择了一份来自行业巨头的品质承诺。美光科技在存储领域的深厚积淀，确保了每一颗芯片都经过严苛测试，性能稳定可靠。其并联接口设计，为需要高带宽数据吞吐的应用场景打开了大门。更重要的是，通过与值得信赖的美光芯片代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货渠道，还能得到专业的技术支持与选型建议，让您的产品从研发到量产一路畅通。这不仅仅是一颗存储器，更是您构建高性能、高可靠性产品的基石，是推动创新落地的关键引擎。

• 型号:MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。