




MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:132-VBGA(12x18)
- 技术参数:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
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MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR参数详情:
当您的下一代智能设备需要处理海量数据时,是否曾为存储方案的性能瓶颈和可靠性而困扰?现在,答案就在眼前。MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR正是为突破极限而生的存储解决方案,它不仅仅是一颗芯片,更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的关键引擎。想象一下,高达64Gb的澎湃容量,配合167MHz的高速时钟频率,让您的设备无论是加载复杂应用、处理高清流媒体还是进行高速数据记录,都能做到瞬间响应,丝滑流畅,彻底告别卡顿与等待,为用户带来前所未有的畅快体验。
这颗来自美光科技的闪存明星,其价值在广泛的场景中熠熠生辉。无论是工业自动化中需要持续记录海量传感器数据的控制单元,还是高端网络设备中负责快速缓存和交换信息的核心模块,甚至是那些对数据完整性要求极高的医疗影像设备,它都能凭借其并联接口的高带宽和稳定的非易失特性,提供坚实可靠的数据基石。在2.7V至3.6V的宽电压范围内,它都能稳定工作,适应各种复杂的供电环境,确保从0°C到70°C的工作温度区间内,性能始终如一。这意味着,无论您的产品最终部署在温控严格的机房,还是环境多变的户外,数据的安全与存取效率都得到了最大程度的保障。
选择MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR,就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。美光科技作为全球存储领域的领导者,其技术底蕴和品控标准为这颗芯片注入了强大的基因。尽管它目前已处于停产状态,但其成熟的设计、卓越的性能和广泛的适用性,使其成为许多经典和特定应用场景下无可替代的优选库存方案。通过值得信赖的美光中国代理渠道获取,您不仅能确保产品的原装正品与可靠供应,更能获得专业的技术支持与供应链服务。让这颗强大的64Gb NAND闪存芯片,成为您产品设计中那个最稳定、最值得信赖的“记忆核心”,驱动创新,承载价值。
- 型号:MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA(12x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
- MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















