




MT29F4G16ABADAH4:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
- 技术参数:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
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MT29F4G16ABADAH4:D TR参数详情:
在当今数据驱动的世界中,您的嵌入式系统是否还在为存储方案的性能瓶颈而困扰?想象一下,一个稳定、高效且经过市场验证的存储核心,能为您的产品带来怎样的流畅体验与可靠保障?今天,我们向您隆重推荐一颗在工业控制、网络通信等领域久经考验的存储明星MT29F4G16ABADAH4:D TR。它不仅仅是一颗芯片,更是您产品稳定运行的坚实后盾。
源自存储巨头美光科技的成熟工艺,这颗4Gb容量的并行NAND闪存芯片,以其卓越的非易失特性,确保数据在断电后依然安全无虞。其2.7V至3.6V的宽电压供电范围,赋予了它出色的电源适应性,能在各种复杂的供电环境中游刃有余。表面贴装的63-VFBGA封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,更便于自动化生产,让您的制造流程更加高效。选择它,就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。
无论是工业自动化设备中繁复的程序与日志存储,还是网络路由器、交换机中需要快速读写的固件与配置信息,甚至是那些对成本敏感但要求持续稳定的消费类电子产品,MT29F4G16ABADAH4:D TR都能完美胜任。它就像一位沉默而忠诚的伙伴,在0°C至70°C的宽温范围内默默工作,确保您的设备在任何环境下都能准确无误地记录与调用关键数据。其并联接口架构,提供了直接、高效的数据通道,简化了您的系统设计。
您可能会问,市面上存储芯片选择众多,为何要特别关注这一颗?答案在于其无可替代的成熟价值与供应链保障。作为一款经典型号,它拥有极其丰富的应用案例和无可挑剔的稳定性记录。更重要的是,通过正规的美光中国代理渠道,您不仅能获得原装正品保障,还能得到专业的技术支持与稳定的供货服务,彻底解决您的后顾之忧。对于需要长期供货支持的项目或现有产品的维护与升级,这颗芯片提供了一个风险极低、性能确信的完美选择。让它为您的创新注入持久动力,为您的产品赢得市场信赖。
- 型号:MT29F4G16ABADAH4:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- MT29F4G16ABADAH4:D TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















