EDB8164B4PT-1DAT-F-R

在追求极致性能与能效平衡的移动计算时代，您是否还在为系统内存的带宽瓶颈和功耗难题而困扰？今天，我们为您带来一款历经市场验证的经典解决方案EDB8164B4PT-1DAT-F-R。这款来自美光科技的8Gb LPDDR2移动SDRAM，以其卓越的533MHz时钟频率和128M x 64的宽位架构，能够瞬间释放数据洪流，为您的设备注入澎湃动力。它不仅仅是一颗存储器，更是提升终端用户体验、确保系统流畅稳定的关键引擎。

想象一下，在严苛的工业自动化环境中，设备需要在-40°C到105°C的宽温范围内稳定运行；在车载信息娱乐系统里，流畅的多媒体处理和快速启动离不开高效的内存支持；在那些对功耗极其敏感的便携式医疗设备或物联网网关中，每一毫瓦的电量都至关重要。EDB8164B4PT-1DAT-F-R正是为这些挑战而生。其1.14V至1.95V的宽电压供电范围，结合LPDDR2移动低功耗技术，在提供高达8Gb海量存储空间的同时，实现了性能与能耗的完美平衡，让您的产品在复杂多变的应用场景中始终游刃有余。

选择这颗芯片，意味着您选择了一份经过时间淬炼的可靠性与卓越性能。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的市场认可度，对于许多成熟、需要长期稳定供应的产品线而言，它依然是不可或缺的核心组件。通过我们美光授权代理，您不仅能获得原装正品的质量保证，还能得到专业的技术支持与供应链服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。让EDB8164B4PT-1DAT-F-R成为您产品升级或经典设计延续的坚实后盾，携手打造更高效、更可靠的下一代智能设备。

• 型号:EDB8164B4PT-1DAT-F-R
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• EDB8164B4PT-1DAT-F-R的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。