EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

当您的下一代嵌入式设备需要应对严苛的移动环境，同时还要保证数据的高速吞吐与系统流畅响应时，您是否在寻找一颗能够兼顾性能、功耗与可靠性的存储核心？答案或许就隐藏在EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR这颗强大的移动LPDDR2 SDRAM芯片之中。它不仅仅是一个存储元件，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的关键动力源，专为那些对空间、能耗和速度有极致要求的应用场景而生。

想象一下，在工业手持终端、车载信息娱乐系统或是高可靠性的物联网网关中，系统需要在-40°C到85°C的宽温范围内稳定运行，同时处理海量的实时数据。EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR正是为此类挑战而设计。其4Gb（256M x 16）的大容量并行架构，配合高达533MHz的时钟频率，能够为处理器提供充沛且高速的数据带宽，确保复杂任务和多线程应用的流畅执行，彻底告别卡顿与延迟。其1.14V至1.95V的宽电压供电范围，尤其体现了移动LPDDR2技术的低功耗精髓，能显著延长电池供电设备的续航时间，让您的产品在能效比上赢得用户青睐。

选择这颗芯片，意味着您选择了一个经过市场验证的成熟解决方案。尽管其零件状态标注为停产，但这恰恰代表了其卓越的稳定性和在众多成功项目中的广泛应用历史，对于需要长期、可靠供应保障的工业级和车载项目而言，通过专业的Micron代理商进行选型和备货，是确保供应链安全与项目连续性的智慧之举。134-WFBGA的紧凑封装，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的设计可以更加小巧精致。无论是面对快速变化的市场需求，还是构建需要经受时间考验的耐用产品，EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR所提供的性能、可靠性与低功耗组合，都将是您打造卓越产品体验不可或缺的基石。

• 型号:EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-FBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-WFBGA
• 供应商器件封装:134-FBGA（10x11.5）
• EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。