




MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
- 技术参数:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR参数详情:
在当今数据驱动的时代,您的嵌入式系统是否还在为存储方案的稳定性与性能而妥协?当海量数据需要被快速、可靠地记录与读取时,选择一颗强大的核心存储芯片,就是为您的产品注入了坚实的数据心脏。今天,我们向您隆重推荐来自存储巨头的卓越解决方案MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR。这颗1Gb容量的NAND闪存芯片,以其工业级的可靠性和高效的并行接口,正成为众多追求卓越性能的设计师们的首选。
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那么,在众多存储芯片中,为何独独它值得您的青睐?答案在于其背后无可挑剔的价值组合。它不仅仅是一颗存储芯片,更是美光科技尖端NAND闪存技术的结晶,代表了稳定、速度和耐久性的黄金标准。选择它,意味着您为产品选择了经市场验证的可靠性,大幅降低了后期维护的风险与成本。更重要的是,当您通过值得信赖的美光代理商进行采购时,您获得的将不仅仅是芯片本身,还包括原厂级的技术支持、稳定的供货保障以及具有竞争力的价格,让您的项目从研发到量产全程无忧。立即将MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR纳入您的设计,让它成为您产品在激烈市场中脱颖而出的秘密武器。
- 型号:MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR的官网价格:1:$15.91000|1000:$10.74920,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















