EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
- 制造厂商：Micron（中文名：美光科技）
- 类别封装：存储器，产品封装：134-VFBGA
- 技术参数：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
- （专注销售Micron电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR参数详情：
在追求极致性能与能效平衡的移动设备设计中，您是否曾为内存方案的选型而反复权衡？当您的产品需要在严苛环境下稳定运行，同时又要满足轻薄化、长续航的严苛要求时，EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR的出现，正是为您量身定制的答案。这款来自美光科技的1Gb移动LPDDR2 SDRAM，以其卓越的低功耗特性和宽温工作范围，正在重新定义嵌入式系统的性能边界，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。
想象一下，无论是疾驰在高速公路上的智能车载中控，需要实时处理海量导航与传感器数据；还是穿梭于工厂车间的工业平板电脑，必须在粉尘与震动中保持流畅操作；亦或是您口袋中那台需要全天候待命的专业级手持终端，EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR都能成为其可靠的数据心脏。它支持-40°C至105°C的极端工作温度，从容应对从冰天雪地到高温车间的任何挑战。其533MHz的时钟频率与并联接口，确保了数据吞吐的迅捷与稳定，让复杂的多任务处理与高清图形渲染变得行云流水。选择它，就是为您的产品注入了全天候、全地形的卓越适应力。
那么，在众多存储解决方案中，为何独独青睐这颗芯片？答案在于它无与伦比的综合价值。它不仅仅是一颗存储器，更是一个经过市场验证的能效标杆。1.14V至1.95V的宽电压供电范围，赋予了设计者极大的电源管理灵活性，显著延长电池供电设备的续航时间。其134-VFBGA的超紧凑封装，是应对空间极限设计的利器，帮助您实现产品形态的进一步革新。更重要的是，通过我们美光一级代理，您不仅能获得稳定可靠的原厂正品供应与有竞争力的价格，更能得到从选型支持到供应链保障的全方位专业服务。让EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR成为您下一个爆款产品的性能基石，携手我们，共同开启高效、可靠的产品新纪元。
- 制造商产品型号：EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 存储器类型：易失
- 存储器格式：DRAM
- 技术：SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量：1Gb（64M x 16）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：533MHz
- 写周期时间-字，页：-
- 访问时间：-
- 电压-供电：1.14V ~ 1.95V
- 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：134-VFBGA
- EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR的官网价格：有源，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
