




NAND512R3A2CZA6E
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
- 技术参数:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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NAND512R3A2CZA6E参数详情:
在当今数据爆炸的时代,您的嵌入式系统是否还在为存储方案的稳定性与成本效益而烦恼?想象一下,一款能够在严苛环境下稳定运行,并以卓越的性价比承载关键数据的存储核心,将如何为您的产品注入强大竞争力?今天,我们为您带来的正是这样一款经典而可靠的解决方案NAND512R3A2CZA6E。它不仅仅是一颗芯片,更是您产品在激烈市场中脱颖而出的坚实后盾。
源自美光科技的成熟工艺,这颗512Mb并行NAND闪存芯片,以其50ns的快速访问与写入周期,在1.7V至1.95V的低电压范围内高效运作,为您带来迅捷的数据吞吐体验。其-40°C至85°C的宽温工作范围,意味着无论是北国的严寒还是工业设备内部的高温,它都能泰然自若,确保数据万无一失。这种与生俱来的可靠性,让它在众多需要持久、稳定存储的场景中游刃有余。
从智能工厂中记录生产参数的工控设备,到穿梭于户外的车载导航与记录仪;从需要长期保存用户设置的网络通信模块,到各类消费电子产品的固件存储,NAND512R3A2CZA6E的身影无处不在。它尤其适合那些对成本敏感,但绝不妥协于品质和长期供货稳定性的项目。尽管该型号已处于停产状态,但这恰恰代表了其技术成熟、市场验证充分,且通过可靠的美光芯片代理渠道,您依然可以获得持续、稳定的货源,完美支持您的产品生命周期,无需为频繁的芯片更迭而重新设计。
选择NAND512R3A2CZA6E,就是选择了一份经过时间考验的信任。它避免了采用全新未经验证芯片可能带来的潜在风险,让您的研发团队能够将精力聚焦于产品核心功能的创新,而非反复适配新的存储器件。63-TFBGA的紧凑封装,更为您的PCB布局节省了宝贵空间。在追求极致性价比与可靠性的道路上,让这颗历经淬炼的美光存储芯片,成为您最明智、最省心的选择,助力您的产品在市场中稳扎稳打,赢得持久口碑。
- 型号:NAND512R3A2CZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- NAND512R3A2CZA6E的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















