




NAND128W3A0BN6E
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:48-TSOP
- 技术参数:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
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NAND128W3A0BN6E参数详情:
在当今数据驱动的世界里,您的嵌入式系统是否还在为存储方案的稳定性与成本效益而纠结?想象一下,一款历经市场验证、性能可靠的闪存解决方案,能够无缝融入您的设计,为产品注入持久生命力。这正是NAND128W3A0BN6E所带来的核心价值。作为美光科技经典的128Mb并行NAND闪存,它不仅仅是一个存储组件,更是您产品在激烈市场竞争中保持稳健运行的坚实后盾。其50ns的快速访问与写入周期时间,确保了数据流转的高效顺畅,而2.7V至3.6V的宽电压供电范围,则赋予了它出色的环境适应能力,无论是工业控制还是消费电子,都能游刃有余。
这款芯片的应用场景极为广泛,尤其适合那些对可靠性和长期供货稳定性有高要求的领域。在工业自动化设备中,它能够稳定记录运行日志与参数;在通信模块里,它是固件与配置数据的安心家园;即便在部分经典的消费电子产品中,它也能提供经济高效的存储扩展方案。其表面贴装设计和48-TFSOP封装,便于集成到各种紧凑的PCB布局中,大大简化了您的生产流程。选择NAND128W3A0BN6E,意味着您选择了一个经过时间考验的伙伴,它可能已停产,但通过可靠的美光一级代理渠道,您依然能获得持续稳定的供应与专业的技术支持,这对于维护产品生命周期、控制供应链风险至关重要。
那么,在众多存储方案中,为何它依然值得您的青睐?答案在于其无可替代的成熟度与极高的性价比。对于许多成熟产品线或不需要追求极致最新工艺的应用而言,它的性能参数完全够用,甚至绰绰有余。宽温工作范围(-40°C ~ 85°C)保证了它在严苛环境下依然稳定可靠,这种品质是许多新兴低成本方案难以企及的。更重要的是,与值得信赖的合作伙伴携手,您获得的不仅是一颗芯片,更是一份保障,让您能够将精力专注于产品核心功能的创新与优化,而无须为底层存储的稳定性担忧。这正是一款经典元件所能提供的、超越其本身物理参数的长远价值。
- 型号:NAND128W3A0BN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:48-TSOP
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