




MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:200-VFBGA(10x14.5)
- 技术参数:IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
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MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR参数详情:
在追求极致性能与可靠性的智能汽车与工业自动化领域,您是否正在寻找一颗能够承载海量数据、应对严苛环境挑战的核心存储器?答案或许就藏在MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR之中。这颗来自美光科技的24Gb高性能LPDDR4移动DRAM,不仅仅是一个存储组件,更是驱动下一代智能设备高效运转的澎湃心脏。它凭借高达1.866GHz的时钟频率和768M x 32的宽位架构,为您带来前所未有的数据吞吐带宽,让信息处理如行云流水,彻底告别延迟与卡顿。
想象一下,在高级驾驶辅助系统(ADAS)中,这颗芯片能够实时、流畅地处理来自多个高清摄像头、雷达和激光雷达的巨量传感器数据,为车辆的瞬间决策提供坚实的数据基石。在工业4.0的智能产线上,它确保复杂的机器视觉系统和实时控制单元稳定运行,即便在-30°C至85°C的宽温范围内也毫不动摇。无论是车载信息娱乐系统呈现丝滑的4K界面,还是边缘计算网关进行高速数据缓存与转发,它都能轻松胜任,将硬件平台的潜能发挥到极致。选择它,就是为您的产品注入了应对未来复杂场景的底气和能力。
那么,为何众多领先厂商将MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR作为关键项目的首选?其根本在于它超越了单纯的参数堆砌,提供了全方位的价值保障。它严格遵循汽车级AEC-Q100标准,意味着从设计、制造到测试都经历了最严苛的可靠性验证,确保在振动、高温、多变的电磁环境下依然稳定如初。超低的0.6V/1.1V工作电压,不仅显著降低了系统功耗,延长了电池续航,更减少了发热,提升了整体系统的能效比与长期可靠性。当您需要这样高品质、高可靠的汽车级存储解决方案时,可以信赖专业的美光中国代理,他们能提供从选型支持到稳定供应的全链路服务。这颗采用200-VFBGA紧凑封装、以卷带形式交付的芯片,正等待着集成到您的下一代标杆产品中,共同定义智能时代的性能新标准。
- 型号:MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-VFBGA(10x14.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:24Gb
- 存储器组织:768M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:1.866 GHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-VFBGA
- 供应商器件封装:200-VFBGA(10x14.5)
- MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR的官网价格:2000:$19.73750,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















