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MT53E384M32D2DS-046 AIT:E供应商
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MT53E384M32D2DS-046 AIT:E
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:200-WFBGA(10x14.5)
- 技术参数:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT53E384M32D2DS-046 AIT:E参数详情:
在追求极致性能的移动设备与嵌入式系统中,您是否曾为内存带宽瓶颈而困扰?当应用需要处理海量数据流、渲染复杂图形或运行多任务时,传统内存方案往往力不从心。现在,答案就在MT53E384M32D2DS-046 AIT:E这颗高性能LPDDR4移动DRAM芯片中。它不仅仅是一个存储组件,更是您系统性能飞跃的关键引擎,以高达2.133GHz的时钟频率和12Gb的大容量,为数据洪流开辟出一条超宽高速公路。
想象一下,在下一代旗舰智能手机上,无论是录制8K超高清视频,还是畅玩大型3D游戏,系统都能流畅无阻,这背后正是此类高性能内存的强力支撑。它同样能赋予高端平板电脑、轻薄笔记本以及车载信息娱乐系统以非凡的响应速度。在工业自动化、网络通信设备等要求严苛的领域,其宽温工作特性(-40°C至95°C)确保了在极端环境下的稳定可靠,让您的产品无惧挑战。选择它,就是为您的产品注入了美光科技的尖端存储基因,通过我们信赖的美光中国代理,您可以便捷地获得原厂品质与专业支持。
为何众多领先厂商在关键项目中青睐此型号?因为它精准地平衡了性能、容量与能效。384M x 32的位宽架构,配合双电压供电(0.6V/1.1V),在提供澎湃数据吞吐量的同时,实现了出色的能效管理,显著延长了便携设备的续航时间。其200球WFBGA的紧凑封装,为空间受限的现代电子设计提供了极大的灵活性。尽管该部件已处于停产状态,但其成熟的设计、经过市场验证的卓越可靠性,以及可能存在的库存与替代方案支持,使其依然是特定高端或延续性项目的明智之选,能够有效保障产品线的稳定与性能传承。
- 型号:MT53E384M32D2DS-046 AIT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA(10x14.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:12Gb
- 存储器组织:384M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2.133 GHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
- MT53E384M32D2DS-046 AIT:E的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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