MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR

在追求极致性能的智能设备时代，您是否曾因内存带宽不足而限制了产品的想象力？当应用需要瞬间加载海量数据、多任务并行处理丝滑无阻时，MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR就是您等待的答案。这款来自美光科技的尖端移动LPDDR4 DRAM，以其高达2.133GHz的时钟频率和8Gb（256M x 32）的宽位配置，为您带来澎湃的数据吞吐能力，彻底释放硬件平台的潜能，让每一次交互都迅捷如电。

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选择这颗芯片，就是选择了一份来自存储巨头的品质承诺与前瞻性技术布局。它不仅仅是一个存储器组件，更是您产品实现差异化、打造卓越用户体验的核心引擎。其200-WFBGA的紧凑封装和表面贴装型设计，为PCB布局提供了极大灵活性，助力您设计出更轻薄、更时尚的产品。当您需要这样一颗高性能、高可靠性的关键器件时，与一家值得信赖的Micron代理商合作至关重要，他们不仅能提供稳定的货源和专业的技术支持，更能成为您产品成功路上的坚实伙伴。立即将MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR纳入您的设计，开启一段关于速度、效率与可靠性的卓越旅程。

• 型号:MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR的官网价格：2000:$53.71520，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。