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MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 技术参数:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR参数详情:

在追求极致性能与能效平衡的移动计算时代,您是否正在寻找一颗能够同时满足高速响应与持久续航需求的核心内存解决方案?答案或许就藏在MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR这颗闪耀的明星之中。作为美光科技LPDDR4移动内存家族的代表,它不仅仅是一颗芯片,更是您产品实现流畅体验与市场竞争力的关键引擎。其高达2.133GHz的时钟频率,如同为数据流开辟了一条宽阔的高速公路,确保多任务处理、高清视频播放和大型应用加载瞬间完成,彻底告别卡顿与等待。

想象一下,在您手中的下一代旗舰智能手机、超薄笔记本电脑或是高性能平板电脑里,正是这颗芯片在幕后高效运作。它凭借4Gb(128M x 32)的存储容量和先进的Mobile LPDDR4技术,为复杂的图形渲染、AI运算和实时数据交换提供了充沛且高速的带宽支持。无论是沉浸式的游戏体验、4K视频的即时编辑,还是全天候的移动办公,它都能确保系统响应如丝般顺滑。其宽广的-30°C ~ 85°C工作温度范围,更是赋予了设备在各种严苛环境下稳定运行的可靠性,从炎炎夏日到寒冷冬季,性能始终如一。

选择MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR,就是选择了一份来自存储技术领导者的品质承诺。美光科技深厚的制造底蕴确保了芯片的一致性与高良率。其0.6V与1.1V的双电压供电设计,在提供澎湃动力的同时,实现了卓越的能效管理,显著延长了便携式设备的电池续航。采用200-WFBGA封装和表面贴装型设计,不仅节省了宝贵的PCB空间,更为您的生产流程带来了便利。当您需要可靠、高性能的移动内存解决方案时,与值得信赖的美光中国代理合作,获取这颗芯片,无疑是加速产品上市、赢得市场先机的明智之举。让它成为您产品创新的心脏,驱动无限可能。

  • 型号:MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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