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MT53E128M32D2DS-046 AAT:A

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 技术参数:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT53E128M32D2DS-046 AAT:A参数详情:

在追求极致性能的移动设备与嵌入式系统中,您是否曾为内存带宽不足而困扰,或是因功耗过高导致设备续航缩水?现在,让我们为您介绍一款能够完美平衡高性能与低功耗需求的解决方案MT53E128M32D2DS-046 AAT:A。这款来自美光科技的LPDDR4移动内存芯片,正以其高达2.133GHz的时钟频率和4Gb的存储容量,重新定义高效能存储的标准,为您的产品注入澎湃动力。

想象一下,在高端智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统乃至工业级计算平台上,流畅的多任务处理、高清视频的即时渲染、复杂AI算法的快速响应,都离不开高速、稳定的内存支持。MT53E128M32D2DS-046 AAT:A正是为此而生。它采用先进的Mobile LPDDR4技术,在提供高达4Gb(128M x 32)容量的同时,实现了惊人的数据传输速率,确保您的应用无论处理何种负载,都能游刃有余,彻底告别卡顿与延迟。其宽广的-40°C至105°C工作温度范围,更让它能从容应对从消费电子到严苛工业环境的各类挑战,可靠性毋庸置疑。

选择这颗芯片,意味着您选择了一个经过市场验证的卓越核心。它不仅拥有美光原厂的品质保证,更通过我们美光授权代理提供稳定可靠的供应与专业的技术支持服务。其0.6V和1.1V的双电压供电设计,在释放强大性能的同时,显著优化了整体系统的功耗表现,直接助力延长终端设备的电池寿命。采用200-WFBGA表面贴装封装,它还能帮助您实现更紧凑、更轻薄的PCB布局设计,为产品外观与内部结构的创新预留更多空间。当您寻求一个能同时提升产品性能、续航与可靠性的内存方案时,MT53E128M32D2DS-046 AAT:A无疑是那个能让您的设计脱颖而出、赢得市场的关键拼图。

  • 型号:MT53E128M32D2DS-046 AAT:A
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • MT53E128M32D2DS-046 AAT:A的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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