MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR

在追求极致性能的移动设备与嵌入式系统中，您是否曾因内存带宽瓶颈而限制了产品的想象力？当应用场景对数据吞吐量与能效比提出双重严苛考验时，MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR的出现，正是为了打破这一僵局。这颗来自美光科技的48Gb大容量移动LPDDR4 DRAM，以其2133MHz的高时钟频率和1.1V的低工作电压，在性能与功耗之间找到了完美的黄金平衡点，为您的高端设计注入澎湃且持久的动力。

想象一下，在下一代旗舰智能手机中，多任务处理如行云流水，大型游戏加载瞬间完成；在AIoT边缘计算网关里，海量传感器数据得以实时分析与响应；在车载信息娱乐系统中，多屏高清显示与复杂导航运算并行不悖，这一切流畅体验的核心支撑，正是高速、大容量的内存。MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR的48Gb（768M x 64）巨大存储空间，如同为您的设备构建了一个宽阔的高速数据广场，让信息得以自由、快速地穿梭。其宽广的-30°C至85°C工作温度范围，更是确保了从炎炎夏日到凛冽寒冬，从消费电子到工业环境的全场景稳定可靠。

选择它，不仅仅是选择了一颗高性能的DRAM芯片，更是选择了一个经过市场验证的成熟解决方案。尽管其状态标注为“不用於新”，但这恰恰证明了其在过往高端项目中的广泛应用与卓越可靠性，是经过时间淬炼的经典之选。其376-WFBGA的紧凑封装与表面贴装型设计，为PCB布局节省了宝贵空间，让您的产品设计更加游刃有余。当您需要为现有产品线升级或寻找经久耐用的关键组件时，这颗芯片的价值将愈发凸显。要获取这颗性能标杆级的产品及其技术支持，联系一家可靠的Micron代理商是您高效推进项目的最佳起点。让MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR成为您产品性能飞跃的隐形翅膀，共同定义下一个体验巅峰。

• 型号:MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:376-WFBGA（14x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:48Gb
• 存储器组织:768M x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:376-WFBGA
• 供应商器件封装:376-WFBGA（14x14）
• MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR的官网价格：1000:$184.27640，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。