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MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E供应商
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MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:存储器,产品封装:376-WFBGA
- 技术参数:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 376WFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E参数详情:
当您的下一代智能设备需要处理海量数据流,同时还要保持极致的能效比时,您是否在为寻找一颗性能与功耗完美平衡的“心脏”而困扰?答案或许就藏在MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E这颗闪耀的明星之中。作为美光科技LPDDR4移动内存家族中的佼佼者,它不仅仅是一颗存储芯片,更是驱动创新、释放设备潜能的强大引擎。它所带来的,是流畅无卡顿的用户体验、更长的设备续航时间,以及面对复杂任务时那份从容不迫的底气。
想象一下,在高端智能手机上,这颗芯片能让多任务切换如丝般顺滑,4K视频录制与实时渲染毫无压力;在平板电脑和超薄笔记本中,它确保了大型应用和创意软件的疾速响应;而在车载信息娱乐系统、工业级平板和AIoT边缘计算设备里,其宽温工作特性(-30°C ~ 85°C)提供了全天候的稳定可靠性。无论是沉浸式的AR/VR体验,还是需要实时响应的无人机图传,MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E都能凭借其高达2133MHz的时钟频率和32Gb(512M x 64)的大容量,成为数据洪流中坚实可靠的“高速缓存区”。
选择它,就是选择了一份来自存储巨头的品质承诺。美光科技的尖端工艺确保了芯片在1.1V低电压下依然能迸发出强劲性能,直接转化为您终端产品的续航优势。其376球WFBGA的紧凑封装,为您的PCB布局节省了宝贵空间,让产品设计更加纤薄、灵活。更重要的是,通过我们美光授权代理,您不仅能获得这颗性能卓越的原装正品芯片,更能享受到专业的技术支持、稳定的供货保障和高效的供应链服务。这不仅仅是购买一个组件,更是为您的产品成功引入了一个值得信赖的战略伙伴。让MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E成为您产品竞争力的核心密码,共同开启高效、智能的新篇章。
- 制造商产品型号:MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 376WFBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:托盘
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:32Gb(512M x 64)
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2133MHz
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:376-WFBGA
- MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E的官网价格:有源,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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