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MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:存储器,产品封装:200-WFBGA
  • 技术参数:IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR参数详情:

在追求极致性能的移动设备与嵌入式系统中,您是否曾因内存带宽不足而限制了处理器的真正潜力?当应用场景对功耗与速度提出双重挑战时,选择一颗高效、可靠的内存芯片,往往是决定产品成败的关键一步。今天,我们为您带来一款能够完美平衡性能与能效的解决方案MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR。这款来自美光科技的16Gb LPDDR4移动DRAM,以其高达1866MHz的时钟频率和512M x 32的宽位架构,为您的高速数据处理需求提供了澎湃动力,让系统响应如丝般顺滑,瞬间释放核心算力。

想象一下,在下一代旗舰智能手机中,无论是多任务并行处理、高帧率游戏渲染,还是4K视频的即时编辑与播放,都需要内存提供持续稳定的高速数据吞吐。这正是MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR大显身手的舞台。它同样适用于对空间和功耗极为敏感的平板电脑、超薄笔记本、车载信息娱乐系统以及各类高性能嵌入式设备。其1.1V的低工作电压,配合宽达-30°C至85°C的工作温度范围,确保了在严苛环境下依然能保持高效稳定运行,为您的产品从实验室走向广阔市场,提供了坚实可靠的核心存储支持。

那么,在众多内存解决方案中,为何要坚定地选择它?答案在于其带来的综合价值远超单一参数。它不仅提供了高达16Gb的海量存储空间,更通过先进的Mobile LPDDR4技术,在提供1866MHz高带宽的同时,显著优化了功耗表现,直接延长了终端设备的续航时间。其200-WFBGA的紧凑封装和表面贴装型设计,为您的PCB布局节省了宝贵空间,让产品设计更加纤薄、紧凑。当您需要这样一颗集高性能、低功耗、高可靠性于一体的顶级存储芯片时,选择一家值得信赖的美光代理商至关重要,他们能为您提供从选型支持到稳定供货的全链条服务,确保您的创新想法能够快速、顺利地转化为具有市场竞争力的卓越产品。

  • 制造商产品型号:MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb(512M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-WFBGA
  • MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR的官网价格:有源,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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